需求名称

廉价无毒高稳定性ZnSnO TFT的实现

项目编号

JSZS2022076

挂牌价格

面议

拟达到的技术指标

ZnSnO在10V的正偏压下，阈值电压漂移小于2.5 V。

挂牌起始日期

2022-10-18

项目状态

招商

挂牌期满日期

2023-10-18

需求方所在地区

枣庄高新区

意向合作方式

合作开发

项目介绍

意向合作技术需求：

氧化物薄膜晶体管（TFT）具有高迁移率（μ）、高透过率，制备工艺简单等特点，符合现代显示技术对TFT的要求。因此，韩国三星已经实现了磁控溅射的氧化铟镓锌（IGZO）TFT商业化的应用，并在2018年的iPhone X上使用了基于IGZO TFT的低温多晶硅氧化物（LTPO）技术的驱动电路。国家也为此启动实施国家重点研发计划 “新型显示与战略性电子材料”重点专项，其中氧化物TFT是一个重要的研究方向。较为成熟的磁控溅射IGZO TFT，其制造过程需真空设备，成本较高；而且IGZO材料含有昂贵且有毒性的In元素，限制了IGZO TFT的进一步发展。作为代替的溶液法氧化锌锡（ZTO）TFT显示了良好的电学性能，是取代IGZO制备CMOS反向器的较为合适的材料。然而，ZTO TFT在电路中工作时，会受到长时间的偏置电压、光照和温度等环境因素干扰；此时，缺陷态会对载流子进行捕获和释放，导致阈值电压（VTH）发生巨大变化 (ΔVTH >2 V)，严重影响了TFT在显示与可穿戴电子方面应用的正常工作 。开发一种简单的可控制深度的、阴阳离子梯度自扩散方式的掺杂技术。通过温度场/电场诱致的方法，优化电场强度和方向、温度、时间等因素，制备F&Al离子扩散深度可控的F&Al-ZTO（FAZTO）薄膜及高迁移率、高稳定性的TFT器件，μ>7 cm2/Vs，Ion/off >107、-1.5 V<VTH< 1.5 V、SS< 0.2 V/decade，ΔVTH <3 V (@+10V，1h)。

交易组织方式：

公告期满如征集到意向合作方，该项目转为正式挂牌项目交易；未征集到意向合作方时，项目撤销。