需求名称

二维 TMDCs 薄膜材料的低功耗 NCFET 器件研发

项目编号

JSZS2022079

挂牌价格

面议

拟达到的技术指标

突破器件能耗瓶颈，最终揭示二维 TMDCs 基 NCFET 器件的能耗极限并实现晶圆级集成。高性能、低功耗二维 TMDCs NCFET的电学特性指标：迁移率≥50 cm2·V-1·s-1，开关比≥106，室温下亚阈值摆幅≤40 mV/dec。

挂牌起始日期

2022-10-18

项目状态

招商

挂牌期满日期

2023-10-18

需求方所在地区

枣庄峄城区

意向合作方式

合作开发、人才培养

项目介绍

意向合作技术需求：

1、二维 TMDCs 单晶薄膜的晶圆级可控生长

当前晶圆级 TMDCs 都为多晶薄膜，晶粒小、缺陷密度高，使得二维 TMDCs 薄膜性能显著降低。不仅需要提升沉积系统可控精度和优化外延衬底晶面，还需结合薄膜材料的生长动力学理论，考察 TMDCs 单晶形核生长调控机制，实现晶圆级单晶可控生长。

2、TMDCs 基 NCFET 的构建及 MOS 阵列的晶圆级集成

基于二维 TMDCs 单晶材料，低功耗 NCFET 器件单元的结构设计与性能调控为研究材料带隙、器件结构和界面品质对电压增益、静态功耗等的影响机制奠定基础，突破器件能耗瓶颈，最终揭示二维 TMDCs 基 NCFET 器件的能耗极限并实现晶圆级集成。高性能、低功耗二维 TMDCs NCFET的电学特性指标：迁移率≥50 cm2·V-1·s-1，开关比≥106，室温下亚阈值摆幅≤40 mV/dec。

交易组织方式：

公告期满如征集到意向合作方，该项目转为正式挂牌项目交易；未征集到意向合作方时，项目撤销。